I Transistor? Sempre più piccoli , sempre più potenti.

I dispositivi che usiamo quotidianamente assumono sempre più queste caratteristiche.

Tutti noi utenti finali siamo continuamente alla ricerca di prodotti che siano pratici e altamente maneggevoli.

E’ importante un buon impatto estetico e allo stesso tempo soddisfare tutti i bisogni in termini di velocità, potenza, prestazioni, batteria e tanto altro ancora.

L’Università del Texas, situata a Dallas, ha sperimentato e sviluppato il transistor più piccolo mai esistito.

L’obiettivo è proprio quello di consentire al dispositivo di conservare la sua forma miniaturizzata senza diminuire affatto le caratteristiche preminenti come potenza e rapidità, anzi aumentandole.

Il transistor sviluppato dall’Ateneo texano è il più piccolo mai realizzato, ed è in grado di consumare un quantitativo minore di energia rispetto ai suoi predecessori.

In particolare, il transistor in questione è realizzato senza l’utilizzo di un materiale come il silicio, ma al contrario con materiali semiconduttori.

Una particolarità che apre nuovi scenari nel campo della minaturizzazione dei dispositivi elettronici.

Questi semiconduttori sono indicati dalla sigla TDM (dicalcogenuri) e posseggono proprietà che gli esperti del settore non esitano a definire “straordinarie”.

Le loro caratteristiche intermedie tra i materiali bidimensionali, come il grafene, e quelli tridimensionali, come il silicio, rendono questi metalli estremamente versatili e magnetoresistenti, capaci pertanto di raggiungere dimensioni piccolissime.

Al progetto ha partecipato anche l’Università della California, che ha fabbricato il transistor ed eseguito simulazioni teoriche: a quella texana è toccato poi il compito di rendere ‘fisico’ il dispositivo, utilizzando un microscopio a risoluzione atomica.

Ma come viene garantito il passaggio della corrente nei transistor?

Il tutto è reso possibile da una ‘porta’, che controlla il flusso di elettroni questo ‘pertugio’ si chiude e si apre in una frazione di secondo.

“I più piccoli transistor di silicio disponibili oggi in commercio – ha spiegato Moon Kim, dell’Università del Texas e autore dello studio – hanno una porta più grande di 10 nanometri”, ossia maggiore di 10 millesimi di millimetro.

“Il nostro dispositivo invece ha una porta della dimensione di 1 nanometro. In più, ha la caratteristica di avere un consumo energetico ridotto rispetto ai transistor in silicio”.

“Ciò significa – ha poi precisato Kim – che un cellulare costruito con questa tecnologia non dovrebbe essere ricaricato molto spesso”.

Ma per vedere il dispositivo in questione lanciato nel mercato c’è da aspettare ancora parecchio: “Soprattutto – ha concluso l’autore dello studio – sarà necessario superare molte sfide tecniche”.